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兴之扬316不锈钢网片小编给大家介绍什么是二氧化硅的湿式蚀刻：

在微电子组件制作应用中，二氧化硅的湿式蚀刻通常采用HF溶液加以进行(5)。而二氧化硅可与室温的HF溶液进行反应，但却不会蚀刻硅基材及复晶硅。反应式如下：SiO2+6HF=H2+SiF6+2H2O

由于HF对二氧化硅的蚀刻速率相当高，在制程上很难控制，因此在实际应用上都是使用稀释后的HF溶液，或是添加NH4F作为缓冲剂的混合液，来进行二氧化硅的蚀刻。但温度如无限制升高（温度为溶液沸点），虽然能加快金属蚀刻的速度，但是温度太高，蚀刻过程难于控制，加上过高的温度也容易***防蚀层，并使蚀刻后铝合金表面粗糙度升高，蚀刻温度一般以80-100摄氏度为宜。NH4F的加入可避免氟化物离子的消耗，以保持稳定的蚀刻速率。而无添加缓冲剂HF蚀刻溶液常造成光阻的剥离。典型的缓冲氧化硅蚀刻液(BOE:BufferOxideEtcher)(体积比6:1之NH4F(40%)与HF(49%))对于高温成长氧化层的蚀刻速率约为1000?/min。

在半导体制程中，二氧化硅的形成方式可分为热氧化及化学气相沉积等方式；而所采用的二氧化硅除了纯二氧化硅外，尚有含有杂质的二氧化硅如BPSG等。400系列—铁素体和马氏体不锈钢型号408—耐热性好，弱抗腐蚀性，11%的Cr，8%的Ni。然而由于这些以不同方式成长或不同成份的二氧化硅，其组成或是结构并不完全相同，因此HF溶液对于这些二氧化硅的蚀刻速率也会不同。但一般而言，高温热成长的氧化层较以化学气相沉积方式之氧化层蚀刻速率为慢，因其组成结构较为致密。

兴之扬***T蚀刻不锈钢网小编给大家介绍应力腐蚀是什么？

材料在特定的腐蚀介质中和在静拉伸应力（包括外加载荷、热应力、冷加工、热加工、焊接等所引起的残余应力，以及裂缝锈蚀产物的楔入应力等）下，所出现的低于强度极限的脆性开裂现象，称为应力腐蚀开裂。

应力腐蚀开裂是先在金属腐蚀蚀敏感部位形成微小凹坑，产生细长的裂缝，且裂缝扩展很快，能在短时间内发生严重的***。应力腐蚀开裂在石油、化工腐蚀失效类型中所占比例高，可达50%.应力腐蚀的产生有两个基本条件：一是材料对介质具有一定的应力腐蚀开裂敏***；二是存在足够高的拉应力。导致应力腐蚀开裂的应力可以来自工作应力，也可以来自制造过程中产生的残余应力。(4)保存足够量的母液，存有足够换一缸母液，母液的提取也很重要，应在各含量比例理想状态时提取，一旦失常难以调理时备用母液将起到关键作用。据统计，在应力腐蚀开裂事故中，由残余应力所引起的占80%以上，而由工作应力引起的则不足20%.

应力腐蚀过程一般可分为三个阶段。一阶段为孕育期，在这一阶段内，因腐蚀过程局部化和拉应力作用的结果，使裂纹生核；第二阶段为腐蚀裂纹发展时期，当裂纹生核后，在腐蚀介质和金属中拉应力的共同作用下，裂纹扩展；有关不锈钢的进一步详细情况可参见由NiDI编制的"不锈钢指南"软盘。第三阶段中，由于拉应力的局部集中，裂纹急剧生长导致零件的***.

在发生应力腐蚀破损时，并不发生明显的均匀腐蚀，甚至腐蚀产物少，有时肉眼也难以发现，因此，应力腐蚀是一种非常***的***.

一般来说，介质中氯化物浓度的增加，会缩短应力腐蚀开裂所需的时间。不同氯化物的腐蚀作用是按Mg2+、Fe3+、Ca2+、Na1+、Li1+等离子的顺序递减的。发生应力腐蚀的温度一般在50℃～300℃之间.　　防止应力腐蚀应从减少腐蚀和消除拉应力两方面来采取措施。主要是：一要尽量避免使用对应力腐蚀敏感的材料；02mm厚的金属材料，直至1mm厚，都可以实现批量化的生产加工，而且加工的质量稳定，批次清楚，品控体系严格。二在设计设备结构时要力求合理，尽量减少应力集中和积存腐蚀介质；三在加工制造设备时，要注意消除残余应力。

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